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ZXMN3B04N8
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE
SUMMARY
V (BR)DSS =30V : R DS ( on )=0.025 ; I D = 8.9A
DESCRIPTION
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
FEATURES
? Low on-resistance
? Fast switching speed
? Low threshold
? Low gate drive
? Low profile SOIC package
APPLICATIONS
? DC - DC converters
? Power management functions
? Disconnect switches
? Motor control
ORDERING INFORMATION
SO8
DEVICE
ZXMN3B04N8TA
ZXMN3B04N8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
WIDTH
12mm
12mm
QUANTITY
PER REEL
500 units
2500 units
Top View
DEVICE MARKING
? ZXMN
3B04
ISSUE 2 - MAY 2004
1
SEMICONDUCTORS
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